我不久前才测完了英睿达DDR5 5600MT/s台式电脑内存,紧接着,便收到了英睿达送测的DDR5 5200MT/s(32GB套条),这两款内存是一同上市的,在参数上仅有频率不同,主要还是在DDR5 4800MT/s入门级基础上推出两款进级的产品,以适应主流市场升级的需求。
在英睿达DDR5 5200内存的电商页面上,我们第一眼便能看到“美光原厂颗粒”加持的字样,作为自家品牌,英睿达无疑能够优先享受到美光原厂DRAM颗粒的待遇; 另外,这款内存条还包含了同时支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO,这意味着这款内存不论在英特尔平台还是AMD平台都能够享受一键超频的待遇(不需要单独调节电压和小参)。
这次DDR5 5600MT/s和DDR5 5200MT/s采用的内存颗粒,与早期的DDR5 4800MT/s相比,颗粒尺寸更小,在单单颗颗粒容量相同的情况下,事实上提升了内存密度。内存颗粒缩小之后,可以实现在内存条上双列排布,诸如64GB、128GB这样大容量的内存条就需要这样的双列排布才能放下所有的内存颗粒。
DDR5-5200单条最大可支持32GB容量,所以单列排布即可放置下所有的内存颗粒。在京东官方旗舰店中,可以看到16GB套装(8×2)、32GB套装(16×2)和64GB套装(32×2)的价格分别为369元、749元和1469元,相对而言性价比是比较高的。对于内存容量的选择,我建议如非工作站或其他高性能电脑,即使是游戏本,都不需要购买64GB套装,其实32GB套装也就够用了。
从参数来看,比起DDR4内存,DDR5内存的优势还是相当明显的,DDR5 5200MT/s的传输速度比DDR4 3200MT/s快了1.63倍,带宽为1.97倍。不仅如此,DDR5内存的突发长度、内存条数和内存组数相对DDR4均是成倍的提升,支持ODECC(On-die error correction code)片上纠错,可靠性更高,而且能耗也更低。
从标签上可以看到,16GB的DDR5 5200MT/s内存零件编号(SKU)为CT16G52C42U5,与此前DDR5 5600MT/s采用了相同的后缀,DDR5 JEDEC基准电压1.1V,不过延迟时续仅有CL42,频率较低的情况下,小参可以设置得更小一些。
目前来看,英睿达发布的DDR5内存还是以“普条”为主,统一采用黑色PCB板,16GB容量为1Rx8的单面排布,每颗内存颗粒的容量为2GB。可以看到DDR5 5200MT/s采用的是美光原生颗粒,FPGA代码为2UG45 D8DDZ,前5位为供应区域识别代码,后5位为颗粒批号,可以看到,DDR5 5200MT/s和DDR5 5600MT/s的后5位批号是相同的,也就是说两者采用的是相同规格的内存颗粒。
在宣布页面上,我们还能看到PMIC电源构架的字样,PMIC其实就是是power management IC的缩写,意思就是电源管理集成电路,主要特点是高集成度,将拥传统的多路输出电源封装在一颗芯片内,使得多电源应用场景高效率更高,体积更小这一点。
DDR5 5200MT/s与DDR5 5600MT/s一样采用瑞萨的电源管理芯片,从PMIC芯片编号“APW8502C AY44K”来看,这是一颗茂达电子(ANPEC)电源管理芯片,这颗管理芯片,大量用于DDR5 6000MT/s以下的产品,英睿达、芝奇等品牌都有采用。
测试平台:
操作系统: Windows 11
主板: ROG MAXIMUS Z690 HERO
BIOS版本: 1280
处理器: 酷睿i5-12600K
硬盘: 英睿达P5 PLUS 1TB
显卡: GeForce RTX 3080Ti
电源: ROG TUF Gaming突击手750W
内存: 16GB×2英睿达DDR5 5200内存
在CPU-Z SPD参数中可以看到,英睿达DDR5 5200MT/s支持XMP和EXPO两种模式,EXPO-5200的内存时序为42-42-42-83,EXPO-4800的内存时序为40-38-38-77; XMP-5200的内存时序为42-42-42-84,XMP-4800的内存时序为40-39-39-77,我们此次仅在英特尔平台下测试。该内存的时序设置得较为宽松,接下来我看再看看它的延迟控制得如何。
内存基准测试:
XMP-4800@1.1V
XMP-5200@1.1V
通过AIDA64 Cache & Memory Benchmark测试可以看到XMP-5200比XMP-4800的读取速度提升了5.99%,写入速度提升了4%,带宽提升了2.5%。内存延迟分别为92.8ns和89.3ns,延迟表现一般。
内存超频测试:
XMP-5400@1.1V（OC）
XMP-5600@1.35V（OC）
接下来我们进一步进行了超频测试,在XMP-5400下,内存完整通过MEMTEST 86测试,无报错。相对XMP-4800读取速度、写入速度和带宽分别提升了9.64%、6.96%和9.28%;如果将内存VDD电压设置为1.35V,VDDQ电压设置为1.4V,内存则可稳定超频至6500MHz,完整通过MEMTEST 86测试,这还是在没有调节时序的情况下实现的超频,说明其还有进一步挖掘超频潜力的可能。非常惊喜的是,在超频之后,内存的延迟得以进一步降低,分别降至86.9ns和84.2ns。
在超频到6500MHz后,我们通过AIDA 64进行了烤机测试,这基本上对内存稳定性的终极考验。可以看到,两根内存在烤机中的温度分别为53.5℃和53℃。整个烤机过程中,并未出现蓝屏或其他不稳定现象。
在红外测温仪之下内存中部的温度为56.1℃(下部较高温度因为邻近显卡,受显卡影响,温度有所堆积),对一张普条来说这样的成绩还算不错。总结一下英睿达DDR5 5200MT/s的超频成绩,不知道大家是否还记得英睿达DDR5 5600MT/s的超频测试成绩,超频后它能够稳定在5800MHz,频率提升了200MHz; 而DDR5 5200MT/s则可稳超至5600MHz,频率提升了200MHz,从超频使用的角度来看,DDR5 5200MT/s的性价比无疑更高。
其他性能测试:
测试中我们分别通过SiSoftware Sandra、Performance Test、鲁大师等软件测试了内存带宽、延迟等参数,并且通过测试处理器性能,比较内存超频为处理器带来的增溢。另外,通过7-ZIP和Truecrypt来测试压缩与解压缩、加密与解密等操作的性能提升。可以看到SiSoftware Sandra内存带宽在XMP-5600下相对XMP-5200提升了5.79%,延迟缩短了近5%;在Performance Test中,存储得分提升了6.71%,在鲁大师内存得分中提升了7.88%。不仅如此,因为内存超频,CPU-Z Benchmark多核成绩提升了6.49%。
7-ZIP压缩与解压缩测试,超频后的成绩提升了2.38%;Truecrypt加密与解密测试中,超频后的成绩提升了7.35%。游戏测试我们还是选择了《最终幻想14》,内存超频获得了额外的6.5fps的帧率提升。
EF点评:
美光原厂颗粒为英睿达DDR5 5200MT/s台式电脑内存提供了稳定超频的良好基础,从而让这根普条获得了不错的超频能力。在AIDA64 Cache & Memory Benchmark测试中,超频让带宽提升了约8GB左右,对于一款基准频率5200MHz的内存来说是相当不错的成绩。在超频能力打底的基础上,这款内存的价格就显得相当有性价比了,值得主流用户关注。( 文章来源: 新潮电子 )
